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STG200G65FD8AG

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STG200G65FD8AG
单 IGBT
STMicroelectronics
IGBT TRENCH FS
-
卷带式 (TR)
100
1
: 100

133

$6.7600

$899.0800

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STG200G65FD8AG
意法-ST
Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 200 A, high-efficiency M series IGBT die in D8 packing
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商STMicroelectronics
系列M
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱Die
安装类型Surface Mount
工作温度-40°C ~ 175°C (TJ)
输入类型Standard
Vce(on)(最大值)@Vge, Ic1.8V @ 15V, 200A
供应商设备包Die
IGBT类型Trench Field Stop
Td(开/关)@ 25°C66.2ns/442.7ns
开关能量5.34mJ (on), 6.23mJ (off)
测试条件400V, 200A, 4.7Ohm, 15V
栅极电荷701 nC
年级Automotive
集电极电流 (Ic)(最大)200 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)650 V
集电极脉冲电流 (Icm)600 A
资质AEC-Q101
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