| ： | PSMN1R9-40YSBX |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Nexperia |
| ： | PSMN1R9-40YSB/S |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 100 |
| ： | 1 |
1
$1.4400
$1.4400
10
$1.1800
$11.8000
100
$0.9100
$91.0000
500
$0.7700
$385.0000
1500
$0.6300
$945.0000
3000
$0.5900
$1,770.0000
7500
$0.5700
$4,275.0000
10500
$0.5400
$5,670.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Nexperia |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | SC-100, SOT-669 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 1.9mOhm @ 25A, 10V |
| 场效应管特性 | Schottky Diode (Body) |
| 功耗（最大） | 194W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 3.6V @ 1mA |
| 供应商设备包 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 40 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 78 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 6297 pF @ 20 V |
