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IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR

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IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR
记忆
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
1Mb,High-Speed/
-
卷带式 (TR)
100
1
: 100

1000

$2.1800

$2,180.0000

获取报价信息
IS61WV6416EEBLL
芯成-ISSI
High Speed Low Power Asynchronous SRAM
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
安装类型Surface Mount
内存大小1Mbit
内存类型Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源2.4V ~ 3.6V
技术SRAM - Asynchronous
内存格式SRAM
供应商设备包44-TSOP II
写入周期时间 - 字、页8ns
内存接口Parallel
存取时间8 ns
记忆组织64K x 16
DigiKey 可编程Not Verified
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