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D175K150E

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  • image of 可调功率电阻 D175K150E
D175K150E
可调功率电阻
Ohmite
ADJ PWR RES 150
-
散装
117
: 117

1

$10.4400

$10.4400

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D1750A
松下-Panasonic
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington Power Transistors
BD175
TRANSYS
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LRD175
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力特-Littelfuse
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Powersem
DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline
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Powersem
DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline
TLGD175
东芝-Toshiba
2 CHIP LED LAMP FOR MESSAGE BOARD
ARU-B100-D175
莱姆-LEM
电流传感器
CSD17559Q5
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17575Q3
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17501Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17506Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17581Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17578Q3A
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17553Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
RSD175N10FRA
罗姆-ROHM
4V Drive Nch MOSFET (支持 AEC-Q101)
CSD17555Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
HD1750FX
意法-ST
最新高清超薄CRT显示器的高压NPN功率晶体管
CSD17552Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
BD1754HFN
罗姆-ROHM
带64级调光功能 恒电流LED驱动器 最多可驱动4个LED
CSD17581Q3A
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
TD175N16SOF
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可控硅/二极管模块
CSD17507Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
PMGD175XNEA
安世-Nexperia
PMGD175XNEA - 30 V, Dual N-channel Trench MOSFET
DD175N30K
英飞凌-Infineon
可控硅/二极管模块
RSD175N10
罗姆-ROHM
4V Drive Nch MOSFET
CSD17505Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
2SD1757K
罗姆-ROHM
Low VCE(sat) Transistor
CSD17551Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17577Q3A
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17576Q5B
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17570Q5B
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
2SD1758
罗姆-ROHM
Driver Transistor
CSD17522Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17578Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
PMGD175XNE
安世-Nexperia
30 V, Dual N-channel Trench MOSFET
CSD17585F5
德州仪器-TI
采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17556Q5B
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
DD175N
英飞凌-Infineon
Rectifier Diode Module
DD175N32K
英飞凌-Infineon
可控硅/二极管模块
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Ohmite
系列Dividohm®210
包装散装
产品状态ACTIVE
宽容±10%
包装/箱Radial, 3 Lead, Tubular
调整类型Slide
安装类型Chassis Mount
直径1.126" OD, 0.752" ID (28.60mm x 19.10mm)
长度8.500" (215.90mm)
终止Solder Lug
反抗150 Ohms
功率(瓦)175 W
关闭
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