15920000498
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D175K2K5E

  • D175K2K5E
  • image of Adjustable Power Resistor D175K2K5E
： D175K2K5E
： Adjustable Power Resistor
： Ohmite
： ADJ PWR RES 2.5
： -
： Box
： 100
： 1
: 100

10

$31.5100

$315.1000

Obtain quotation information
D1750A
松下-Panasonic
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington Power Transistors
BD175
TRANSYS
EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS
JSCC175 JSCD175
捷捷微-JieJie
可控硅&二极管模块
LRD175
里阳-Liown
二极管芯片
V20D175
力特-Littelfuse
径向引线型压敏电阻
JTD175
力特-Littelfuse
J级保险丝
HSBD175
华汕-Huashan
通用晶体管
TLC-USMD175
竞沃-TLC
自恢复保险丝
PSVD175
Powersem
DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline
PSXD175
Powersem
DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline
PSYD175
Powersem
DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline
PSWD175
Powersem
DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline
TLGD175
东芝-Toshiba
2 CHIP LED LAMP FOR MESSAGE BOARD
ARU-B100-D175
莱姆-LEM
电流传感器
CSD17559Q5
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17575Q3
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17501Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17506Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17581Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17578Q3A
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17553Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
RSD175N10FRA
罗姆-ROHM
4V Drive Nch MOSFET (支持 AEC-Q101)
CSD17555Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
HD1750FX
意法-ST
最新高清超薄CRT显示器的高压NPN功率晶体管
CSD17552Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
BD1754HFN
罗姆-ROHM
带64级调光功能 恒电流LED驱动器 最多可驱动4个LED
CSD17581Q3A
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
TD175N16SOF
英飞凌-Infineon
可控硅/二极管模块
CSD17507Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
PMGD175XNEA
安世-Nexperia
PMGD175XNEA - 30 V, Dual N-channel Trench MOSFET
DD175N30K
英飞凌-Infineon
可控硅/二极管模块
RSD175N10
罗姆-ROHM
4V Drive Nch MOSFET
CSD17505Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
2SD1757K
罗姆-ROHM
Low VCE(sat) Transistor
CSD17551Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17577Q3A
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17576Q5B
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17570Q5B
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
2SD1758
罗姆-ROHM
Driver Transistor
CSD17522Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17578Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
PMGD175XNE
安世-Nexperia
30 V, Dual N-channel Trench MOSFET
CSD17585F5
德州仪器-TI
采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17556Q5B
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
DD175N
英飞凌-Infineon
Rectifier Diode Module
DD175N32K
英飞凌-Infineon
可控硅/二极管模块
Product parameters
PDF(1)
TYPEDESCRIPTION
MfrOhmite
SeriesDividohm®210
PackageBox
Product StatusACTIVE
Tolerance±10%
Package / CaseRadial, 3 Lead, Tubular
Adjustment TypeSlide
Mounting TypeChassis Mount
Diameter1.125" OD, 0.750" ID (28.58mm x 19.05mm)
Length8.500" (215.90mm)
TerminationSolder Lug
Resistance2.5 kOhms
Power (Watts)175 W
关闭
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leo@cseker.com
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