| ： | IS61LV25616AL-10TLI |
|---|---|
| ： | SRAM存储器(4) |
| ： | ISSIISSI有限公司 |
| ： | IC SRAM 4MBIT 1 |
| ： | - |
| ： | |
| ： | YES |
| TYPE | DESCRIPTION |
| 产品分类 | MRAM磁性随机存储器 存储器 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 存取时间 | 10ns |
| 包装 | Tray |
| 接口类型 | Parallel |
| 写周期时间-字，页 | 10ns |
| 原始制造商 | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 品牌 | ISSI Silicon |
| 速度 | 10ns |
| 零件状态 | Active |
| 系列 | - |
| 是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 技术 | SRAM - Asynchronous |
| 存储器类型 | Volatile |
| 存储器格式 | SRAM |
| 存储容量 | 4 (256K x 16)MB |
| 接口 | 并联 |
| 工作电压（范围） | 3.6V |
| 工作温度 | -40~+85℃ |
| 安装类型 | SMT |
| 封装/外壳 | TSOP-44 |
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