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S34ML08G201TFI000

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  • image of MRAM磁性随机存储器 S34ML08G201TFI000
S34ML08G201TFI000
MRAM磁性随机存储器
CYPRESS赛普拉斯
存储器类型
-
YES
TYPEDESCRIPTION
产品分类MRAM磁性随机存储器 存储器
包装Tray
接口类型Parallel
写周期时间-字,页25ns
原始制造商Cypress Semiconductor
品牌Cypress
零件状态Obsolete
系列ML-2
技术FLASH - NAND
存储器类型FLASH
存储器格式FLASH
存储容量8 (1G x 8)GB
工作电压(范围)3.6V
工作温度-40~+85℃
安装类型SMT
封装/外壳48-TSOP
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