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MT47H128M16RT-25E:C

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MT47H128M16RT-25E:C
MRAM磁性随机存储器
Micron镁光
IC DDR2 SDRAM 2
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YES
TYPEDESCRIPTION
产品分类MRAM磁性随机存储器 存储器
湿气敏感性等级(MSL)3(168 小时)
存取时间400ps
包装Tray
接口类型Parallel
写周期时间-字,页15ns
原始制造商Micron Technology,Inc.
品牌Micron
速度400MHz
零件状态Active
系列-
是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
技术SDRAM - DDR2
存储器类型Volatile
存储器格式DRAM
存储容量2 (128M x 16)GB
时钟频率(Max)400MHz
接口并联
工作电压(范围)1.9V
工作温度0~+85℃
安装类型SMT
封装/外壳TFBGA-84
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